新材料;国内先进;技术成熟度8
随着中美关系紧张,美国对中国高端制造业打压日趋严重,高
端芯片对华为断供;华为虽然有海思可以设计芯片,但芯片代工企业台积电也加入
断供,虽然我们已经获得光刻机,中国芯片制造的相关材料,将成为能否支撑起我
国芯片产业的关键。
我国稀土抛光粉产量世界第一,主要用于玻璃、硅片的粗抛光;高端一点的抛
光液产品,只停留在 100 纳米以上的抛光技术阶段。对于芯片用的基片抛光, CMP
(化学机械抛光)抛光液微球的均匀性和杂质(包括但不限于金属离子)有严格要
求,虽然我国有苏州微纳、安集微电子等企业加入,但是他们的产品也只停留于铜
及铜阻挡层系列化学机械抛光液,100~130nm 的技术节点逻辑芯片的制造工艺。
目前国际晶圆代工大厂在向 7nm,5nm 甚至 3nm 等更先进的制程工艺推进,国
内晶圆代工龙头中芯国际也已经实现 14nm 的量产,开始布局 10/7nm 等工艺的研
发。这些先进的逻辑芯片工艺会要求更多的抛光环节,比如 14nm 以下逻辑芯片工
艺要求的关键 CMP 工艺将达到 20 步以上,使用的抛光液将从 90 纳米的五六种抛
光液增加到二十种以上,种类和用量迅速增长,为 CMP 抛光材料带来了更多的增
长机会;晶圆精抛抛光(0.3~0.4nm),芯片制备过程的抛光,均需要 SiO2 溶胶抛
光液,目前这类高性能抛光液,主要是美国卡博特(Cabot)制备。但是,目前中芯
国际和有研硅股他们采用的产品主要是日本厂商 Fujimi 和美国卡伯特Cabot 的抛光
液产品,美国对中国的高科技产业的制裁尚未扩展到高端化学品,因为日本日本厂
商 Fujimi 生产抛光液采用了美国杜邦 DuPont 和道康宁 Dow Corning 的原料,一旦
局势进一步恶化,不免被完全卡死。如韩日争端中,日本卡死韩国的超纯化学品一
样。
因此,无论从经济利益和社会责任考虑,开发 CMP 高端抛光液迫在眉睫,市
场前景巨大.
由分子自组装技术,控制溶胶颗粒生长,制备高均匀性的 SiO2 溶胶。
SiO2 溶胶抛光液,均一性好,金属离子杂志含量低,接近国际先进水平。
国内先进
批量生产、工程应用阶段,技术成熟度8级。
晶圆精抛/CMP 逻辑芯片精细抛光。
;拟申请发明专利1项。
高端 CMP SiO2 溶胶抛光液,是中国高端制造——芯片加工产业 的卡脖子材料,推广此项技术产业化,为我国的先进的逻辑芯片工艺, 解决必需的材料问题。